捷捷微电：目前有少量碳化硅器件的封测，尚未进入量产阶段

捷捷微电2月7日在互动平台表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。