昨夜,美股市场上演了一场存储芯片的造富神话。美光科技(MU.O)单日暴涨超19%,总市值突破万亿美元。华尔街各大投行近期更是纷纷上调美光评级,瑞银更是喊出1625美元的目标价,较当前股价仍有翻倍空间。一时间,全球半导体投资圈为之沸腾。
与此同时,韩国综合价格指数再次拉涨5%,再创历史新高,韩国交易所启动KOSP熔断机制。海力士股价飙涨11%,市值突破1万亿美元大关。日经225指数向上触及66000点,日内上涨1.87%,同样再创新高。(数据截至2026.5.27)
而就在今天,长鑫科技拟募资金规模295亿元的超大IPO正式上会,作为中国第一大DRAM厂商,即将在资本市场上演一场巨无霸登场。
在这硬科技投资基本面、资金面、情绪面种种因素焦灼的十字路口,芯片板块究竟路在何方?
【美光暴涨:存储芯片的估值重估逻辑】
美光科技此番暴涨,背后逻辑并非简单的业绩超预期,而是整个存储行业估值体系的结构性重估。瑞银分析师Timothy Arcuri在最新研报中指出,AI正在推动存储行业出现估值体系重估——过去由于行业周期波动明显,美光长期估值偏低,目前预期市盈率仅8.4倍。而随着增强版长期协议(LTA)的普及,这一状况正在发生根本性改变。(数据来源:瑞银全球研究,2026.5.12)
瑞银测算,在LTA覆盖下,DDR价格从峰值到谷底的波动幅度可以缩减约一半。即使在2029年假设出现一轮中等程度的内存下行周期,美光的每股收益(EPS)仍能维持在100美元以上。这意味着市场将开始给予美光一个更正常的估值倍数——参照英伟达约15倍的NTM市盈率,而非此前以SoTP模型隐含的约5倍。
除了LTA带来的估值重估,美光暴涨还得益于AI存储需求的爆发式增长。美光科技数据中心业务部门高级副总Jeremy Werner指出,AI推理时代把内存/存储从配套组件推成了系统瓶颈。现代AI基础设施不仅消耗更多HBM内存,还需要高带宽DRAM、更多存储容量以及高速SSD基础设施,以满足检索和Agentic AI工作负载的增长需求。
从存储到算力,从HBM到DDR5,AI正在重新定义整个半导体产业链的价值分配。美光的大涨,本质上是资本市场对这一产业趋势的投票。
【巨无霸登场:长鑫IPO的虹吸效应】
就在今天,长鑫科技科创板IPO正式上会。继中芯国际之后,A股迎来了又一家半导体超级巨无霸。
根据招股书数据,长鑫科技2026年一季度实现营收508亿元,同比暴增719.13%;归母净利润247.62亿元,公司预计2026年上半年归母净利润500-570亿元——相当于日均净赚近4亿元。这一业绩表现,已经可以与全球存储巨头SK海力士掰一掰手腕。
长鑫IPO的超大体量,也引发了市场对虹吸效应的担忧。
然而,虹吸并非单纯的抽血,更是A股核心资产的一次换血与升级。长鑫科技作为国内唯一实现DRAM全产业链自主可控的IDM企业,将成为A股硬科技的绝对市值标杆。其令人侧目的万亿超级市值成型后,存储赛道正式成为半导体第一权重细分,机构核心底仓、长线配置资金、指数权重资金将持续向存储产业链倾斜。
【站在十字路口:投资者的“芯”病】
眼下,投资者正经历一场前所未有的投资焦虑。
一边是,硬科技板块前期涨幅较大,板块内部分化极致加剧,不少投资者出现明显的恐高情绪——每一次盘中急跌都令人心惊肉跳,账面浮盈仿佛随时会化为泡影。
另一边是,全球AI算力需求爆发、国内国产替代加速推进,产业趋势愈发清晰。踏空的感觉同样令人煎熬——眼睁睁看着业绩兑现的科技巨头们一路向北,自己却在犹豫中错失行情。
这种进退两难的困境,本质上是对短期波动与长期趋势之间的权衡。
事实上,每一次科技行情的震荡调整,都是对投资者信念的考验。AI硬科技的发展速度,很可能超过大多数人的预期。在这场全球科技竞赛中,中国半导体产业以及芯片设计板块的国产替代空间广阔,核心资产的成长潜力不容忽视。
【全球芯片双雄:后摩尔时代的技术路线之争】
在全球AI算力竞赛进入白热化、摩尔定律逼近物理极限的大背景下,华为与英伟达正代表两种截然不同的破局思路。
华为韬(τ)定律:以时间换空间的中国方案
5月25日,华为董事何庭波在ISCAS 2026大会上正式发布韬(τ)定律,核心思想是以时间缩微替代几何缩微——通过在器件、电路、芯片、系统四个层级全面优化时间常数τ来实现等效性能提升。过去六年,华为基于该理念已量产381款芯片,预计2031年达到1.4nm制程等效密度。
英伟达Rubin:极致协同设计的系统级战争
与华为的单点突破思路不同,英伟达Rubin机架代表了另一条路线——通过极致硬件堆叠和生态锁定来继续推高算力天花板。Rubin机架由七款芯片组成,包括Rubin GPU(3360亿晶体管)、Vera CPU(88核ARM)、NVLink 6 Switch等,预计2026年下半年正式推出。
无论是华为的韬(τ)定律,还是英伟达的Rubin系统,都指向同一个结论:后摩尔时代,芯片设计正迎来技术路径更迭的历史性窗口。
【投资抉择:如何在芯浪潮中稳健布局?】
面对当下投资硬科技赛道中的犹豫与彷徨,我们认为
第一,保持科技赛道仓位是当前最重要的事。无论短期波动如何演绎,全球AI算力需求爆发、国内国产替代加速推进的产业趋势并未改变。在历史性的产业机遇面前,空仓的恐慌不亚于持仓带来的波动。
第二,宽基配置与锐度追求可以兼得。追求稳健的投资者,不妨关注半导体ETF国联安(512480),全面覆盖半导体产业链上中下游86家优质企业,涵盖芯片设计、制造、封测以及设备材料等关键环节,兼具成长性与代表性,能够有效分散单一赛道风险。
而对于追求弹性和锐度的投资者,科创芯片设计ETF国联安(588780)仍是布局中国最硬核芯片设计资产的最佳工具。其跟踪的上证科创板芯片设计主题指数,汇聚了AI算力、HBM内存、先进封装等核心赛道,能够在科技行情中获取更高弹性。
第三,借助ETF分散风险,在回调中分批布局。科技成长板块的择时难度极高,与其猜顶摸底,不如利用ETF高流动性、分散个股风险的天然优势,在震荡中分批买入,以更稳健的姿态分享中国芯崛起的时代红利。
望远方知风浪小,每一次市场的震荡回调,都是为聪明资金提供的优化持仓成本的宝贵窗口。在这场全球科技竞赛中,中国半导体产业正在书写属于自己的历史。
费率备注:投资者申购或赎回科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安的基金份额时,申购或赎回费率将按照不超过0.5%的标准收取费用,其中包含证券交易所、登记结算机构等收取的相关费用。敬请投资者阅读更新的《招募说明书》及销售机构相关公告了解详细情况。
产品风险等级:科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安,风险等级均为R3(中风险),本风险等级仅为基金管理人评价结果,基金代销机构评价结果不必然与基金管理人一致,请投资者在投资前根据所适用的销售机构的风险测评以及匹配结果独立做出投资决策。
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