2026年6月15日早盘，元件、高宽带内存表现活跃，截至10:15，上证科创板芯片指数强势上涨4.17%，成分股盛科通信上涨9.63%，南芯科技上涨8.09%，思特威上涨7.98%，华海清科，华润微等个股跟涨。

从湖北江城实验室了解到，该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。

存储芯片行业正经历由AI需求驱动的“超级周期”，供给端纪律性增强叠加长期协议锁定，推动估值中枢有望系统性上移。摩根士丹利国际认为，当前DRAM价格虽已近翻倍，但受洁净室与EUV设备产能限制，实际有效供给仍紧张，2026Q3价格仍有20-30%上涨空间。若长期协议覆盖比例在2027年提升至70%以上，行业远期市盈率或从当前约5倍重估至8-10倍区间。管理层扩产节奏趋于克制，叠加AI推理成本下降带来的新增需求弹性，本轮周期持续性优于历史经验。

数据显示，截至2026年5月29日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、澜起科技、中芯国际、海光信息、中微公司、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司、芯原股份，前十大权重股合计占比64.1%。

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