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冲击3连涨,半导体ETF国联安(512480)涨超2%,科创芯片设计ETF国联安(588780)涨超1%

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冲击3连涨,半导体ETF国联安(512480)涨超2%,科创芯片设计ETF国联安(588780)涨超1%

截至2026年6月17日 10:36,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨1.43%,盘中换手5.64%,成交5212.94万元。

截至2026年6月17日 10:36,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨1.43%,盘中换手5.64%,成交5212.94万元,成分股芯动联科上涨6.22%,睿创微纳上涨5.77%,澜起科技上涨5.71%,中科蓝讯,东芯股份等个股跟涨。

半导体ETF国联安(512480)上涨2.04%,盘中换手3.78%,成交7.12亿元,成分股盛美上海上涨8.80%,甬矽电子上涨7.97%,中巨芯上涨6.66%,雅克科技,芯动联科等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比超九成,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中,成立时间最早、规模最大的产品。

此外,半导体ETF国联安(512480)备受市场关注,是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF,一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类:007300;C类:007301)。

消息面上,存储巨头SK海力士已向主要供应商通报了这项大规模扩产计划,目标是在2030至2031年间,将DRAM晶圆月产能从目前的约55万片提升至约100万片,近乎翻倍。

广发证券表示,AI算力需求从HBM/DRAM扩产、先进逻辑制程升级两条主线同步拉动全球晶圆厂设备投资(WFE)持续上修,叠加自主可控紧迫性提升,国产替代逻辑进一步强化。

风险提示:以上所有信息仅作为参考,不构成投资建议,一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险,入市需谨慎。

注:“成立最早、规模最大”指截至2026.6.16,科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中,成立时间最早、规模最大的产品


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截至2026年6月17日 10:36,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨1.43%,盘中换手5.64%,成交5212.94万元。

截至2026年6月17日 10:36,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨1.43%,盘中换手5.64%,成交5212.94万元,成分股芯动联科上涨6.22%,睿创微纳上涨5.77%,澜起科技上涨5.71%,中科蓝讯,东芯股份等个股跟涨。

半导体ETF国联安(512480)上涨2.04%,盘中换手3.78%,成交7.12亿元,成分股盛美上海上涨8.80%,甬矽电子上涨7.97%,中巨芯上涨6.66%,雅克科技,芯动联科等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比超九成,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中,成立时间最早、规模最大的产品。

此外,半导体ETF国联安(512480)备受市场关注,是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF,一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类:007300;C类:007301)。

消息面上,存储巨头SK海力士已向主要供应商通报了这项大规模扩产计划,目标是在2030至2031年间,将DRAM晶圆月产能从目前的约55万片提升至约100万片,近乎翻倍。

广发证券表示,AI算力需求从HBM/DRAM扩产、先进逻辑制程升级两条主线同步拉动全球晶圆厂设备投资(WFE)持续上修,叠加自主可控紧迫性提升,国产替代逻辑进一步强化。

风险提示:以上所有信息仅作为参考,不构成投资建议,一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险,入市需谨慎。

注:“成立最早、规模最大”指截至2026.6.16,科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中,成立时间最早、规模最大的产品

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