截至2026年6月30日 10:04，科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨3.21%，盘中换手11.27%，成交1.27亿元，成分股格科微上涨20.02%，翱捷科技上涨15.47%，安凯微上涨11.75%，艾为电子，灿芯股份等个股跟涨。

半导体ETF国联安(512480)上涨1.24%，盘中换手3.59%，成交8.86亿元，成分股格科微上涨20.02%，翱捷科技上涨15.47%，艾为电子上涨10.00%，景嘉微，电科芯片等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。

此外，半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

消息面上，近日，全球“最火”内存ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）进行了调仓，首次纳入A股存储芯片巨头兆易创新，权重为2.91%，为该ETF的第8大重仓股。Roundhill Memory ETF是全球首款专门聚焦于计算机存储与数据存储行业的纯主题型ETF。

6月29日，韩国政府宣布迄今最大规模的半导体与AI投资计划，将半导体、物理AI与AI数据中心定位为产业升级的“三角支柱”。三星和SK海力士将在西南部投资约800万亿韩元建设四座芯片工厂，目标五年内将DRAM产能翻倍。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。