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国内氩气价格暴涨,4个月累计涨幅超258%,科创新材料ETF博时(588010)跟踪指数盘中最高涨超1%

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国内氩气价格暴涨,4个月累计涨幅超258%,科创新材料ETF博时(588010)跟踪指数盘中最高涨超1%

科创新材料ETF博时(588010)跟踪上证科创板新材料指数(000689),盘中涨超1%;受益AI芯片扩产及氩气价格4个月涨258%,成分股纳微科技等领涨。

截至2026年9月8日 11:04,科创新材料ETF博时(588010)跟踪指数上证科创板新材料指数(000689)上涨0.27%,盘中最高涨超1%。成分股纳微科技上涨8.58%,安集科技上涨4.65%,三孚新科上涨3.56%,华秦科技上涨2.67%,中复神鹰上涨2.21%。

流动性方面,科创新材料ETF博时盘中换手6.21%,成交6261.76万元。拉长时间看,截至9月7日,科创新材料ETF博时近1年日均成交7798.71万元。

近期,国内氩气市场走出一轮暴涨行情。自今年5月启动上行后,7—8月价格加速拉升,部分区域单日涨幅显著。数据显示,截至9月3日,氩气价格报2580元/吨,相比5月初的720元/吨,在4个月时间里涨幅超过258%。据了解,氩气为稀有气体,主要通过空气低温精馏法生产,在传统工业、新能源、半导体领域广泛使用。

2026年AI相关芯片产业持续高景气,算力芯片、HBM(高带宽内存)持续扩产,不仅晶圆投片量提升,多层堆叠先进工艺还推高单位晶圆耗气量,直接拉动电子级氩气等大宗气体消耗上行。

国信证券分析称,AI算力快速发展驱动逻辑、存储技术迭代,晶圆扩张叠加单位晶圆耗气量增加带动电子气体需求快速增长。据TrendForce,2026年AI相关主芯片及周边IC需求将继续引领全球晶圆代工产业成长,全年产值有望增长24.8%达到约2188亿美元。算力芯片、HBM、3DNAND扩产使投片量上升,先进节点、多层堆叠使单位晶圆耗气量上升,电子气体有望形成需求增长的乘数效应。

资金流入方面,科创新材料ETF博时近5个交易日内有3日资金净流入,合计“吸金”7866.50万元,日均净流入达1573.30万元。

科创新材料ETF博时(588010)紧密跟踪上证科创板新材料指数,上证科创板新材料指数从科创板市场中选取50只市值较大的先进钢铁、先进有色金属、先进化工、先进无机非金属等基础材料以及关键战略材料等领域上市公司证券作为指数样本,反映科创板市场代表性新材料产业上市公司证券的整体表现。

数据显示,截至2026年8月31日,上证科创板新材料指数(000689)前十大权重股分别为安集科技、中船特气、沪硅产业、南亚新材、广钢气体、天岳先进、西部超导、嘉元科技、联瑞新材、有研硅,前十大权重股合计占比49.02%。

(文中个股仅作示例,不构成实际投资建议。基金有风险,投资需谨慎。)

以上产品风险等级为:中高(此为管理人评级,具体销售以各代销机构评级为准)

风险提示:基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具,不同类型的基金风险收益情况不同,投资人既可能分享基金投资所产生的收益,也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况,结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险,不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险,包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。


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国内氩气价格暴涨,4个月累计涨幅超258%,科创新材料ETF博时(588010)跟踪指数盘中最高涨超1%

科创新材料ETF博时(588010)跟踪上证科创板新材料指数(000689),盘中涨超1%;受益AI芯片扩产及氩气价格4个月涨258%,成分股纳微科技等领涨。

截至2026年9月8日 11:04,科创新材料ETF博时(588010)跟踪指数上证科创板新材料指数(000689)上涨0.27%,盘中最高涨超1%。成分股纳微科技上涨8.58%,安集科技上涨4.65%,三孚新科上涨3.56%,华秦科技上涨2.67%,中复神鹰上涨2.21%。

流动性方面,科创新材料ETF博时盘中换手6.21%,成交6261.76万元。拉长时间看,截至9月7日,科创新材料ETF博时近1年日均成交7798.71万元。

近期,国内氩气市场走出一轮暴涨行情。自今年5月启动上行后,7—8月价格加速拉升,部分区域单日涨幅显著。数据显示,截至9月3日,氩气价格报2580元/吨,相比5月初的720元/吨,在4个月时间里涨幅超过258%。据了解,氩气为稀有气体,主要通过空气低温精馏法生产,在传统工业、新能源、半导体领域广泛使用。

2026年AI相关芯片产业持续高景气,算力芯片、HBM(高带宽内存)持续扩产,不仅晶圆投片量提升,多层堆叠先进工艺还推高单位晶圆耗气量,直接拉动电子级氩气等大宗气体消耗上行。

国信证券分析称,AI算力快速发展驱动逻辑、存储技术迭代,晶圆扩张叠加单位晶圆耗气量增加带动电子气体需求快速增长。据TrendForce,2026年AI相关主芯片及周边IC需求将继续引领全球晶圆代工产业成长,全年产值有望增长24.8%达到约2188亿美元。算力芯片、HBM、3DNAND扩产使投片量上升,先进节点、多层堆叠使单位晶圆耗气量上升,电子气体有望形成需求增长的乘数效应。

资金流入方面,科创新材料ETF博时近5个交易日内有3日资金净流入,合计“吸金”7866.50万元,日均净流入达1573.30万元。

科创新材料ETF博时(588010)紧密跟踪上证科创板新材料指数,上证科创板新材料指数从科创板市场中选取50只市值较大的先进钢铁、先进有色金属、先进化工、先进无机非金属等基础材料以及关键战略材料等领域上市公司证券作为指数样本,反映科创板市场代表性新材料产业上市公司证券的整体表现。

数据显示,截至2026年8月31日,上证科创板新材料指数(000689)前十大权重股分别为安集科技、中船特气、沪硅产业、南亚新材、广钢气体、天岳先进、西部超导、嘉元科技、联瑞新材、有研硅,前十大权重股合计占比49.02%。

(文中个股仅作示例,不构成实际投资建议。基金有风险,投资需谨慎。)

以上产品风险等级为:中高(此为管理人评级,具体销售以各代销机构评级为准)

风险提示:基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具,不同类型的基金风险收益情况不同,投资人既可能分享基金投资所产生的收益,也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况,结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险,不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险,包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。

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