截至2026年11月10日 11:07，半导体ETF博时(159582)跟踪指数中证半导体产业指数(931865)强势上涨1.38%，成分股江丰电子上涨6.24%，矽电股份上涨4.62%，金海通上涨3.97%，芯源微，神工股份等个股跟涨。拉长时间看，截至2026年11月9日，半导体ETF博时今年以来累计上涨26.09%。

流动性方面，半导体ETF博时盘中换手6.96%，成交5008.02万元。拉长时间看，截至11月9日，半导体ETF博时近1周日均成交1.28亿元。

隔夜费城半导体指数大涨近7%收复万点关口，AMD、博通、美光等涨幅居前。

11月，闪存龙头闪迪大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。值得注意的是，这是闪迪今年以来至少第三次涨价，其在4月宣布全系涨价10%之后，又在9月初针对全部渠道和消费类产品执行10%普涨，打响存储涨价“第一枪”，并引发了美光等存储龙头跟进涨价。

摩根大通指出，尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报，但DRAM和NAND供需仍然紧张，长期供货协议不断扩大覆盖范围，行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月，存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。

此外，马斯克旗下半导体合资企业Terafab正将触角伸向全球存储芯片产能的核心地带。据了解，Terafab已向半导体设备供应商透露，计划于2032年实现月产100万片晶圆的产能目标，其中70万片用于存储芯片、30万片用于逻辑芯片。这一目标的震撼之处在于其存储芯片规模：三星目前DRAM月产能约为65万至70万片晶圆，Terafab的存储芯片目标与之相当。对于一家尚处起步阶段的新进入者而言，能否在约六年内复制三星现有规模，将是对整个行业格局的重大考验。

中国银河证券认为，近期半导体设备板块回调幅度最大，现企稳修复。国内存储厂扩产将是拉动设备厂商下一轮出货的重要驱动因素，经前期调整后半导体设备板块估值已低，且海外AI叙事波动将凸显国产链确定性。

资金流入方面，半导体ETF博时最新资金净流入1705.58万元。拉长时间看，近21个交易日内有14日资金净流入，合计“吸金”6029.13万元，日均净流入达287.10万元。

半导体ETF博时(159582)紧密跟踪中证半导体产业指数，中证半导体产业指数从上市公司中，选取不超过40只业务涉及半导体材料、设备和应用等相关领域的上市公司证券作为指数样本，以反映半导体核心产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年10月30日，中证半导体产业指数(931865)前十大权重股分别为北方华创、中微公司、寒武纪、拓荆科技、海光信息、长川科技、华海清科、中科飞测、中芯国际、安集科技，前十大权重股合计占比80.28%。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况，结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险，不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险，包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。