截至2026年11月12日 09:40，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.24%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手2.5%，成交2221.94万元。成分股盛科通信上涨8.83%，沐曦股份上涨7.09%，摩尔线程上涨6.42%，寒武纪，海光信息等个股跟涨。

半导体ETF国联安(512480)跟踪指数中证全指半导体产品与设备指数(H30184)强势上涨2.56%。半导体ETF国联安盘中换手1.52%，成交2.66亿元。成分股中船特气上涨12.44%，盛科通信上涨8.83%，燕东微上涨7.41%，寒武纪，通富微电等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。

半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

消息面上，从存储行业代理商、经销商处了解，目前存储芯片价格依然处于高位，但市场有一定分化。针对企业级市场的DRAM和SSD还在涨价，消费级存储也在涨价，但“价格可谈”。一位头部存储芯片代理商工作人员表示，由于AI算力中心对存储的需求很大，因此涨价是肯定的。

国金证券表示，存储周期持续上行，收入及盈利大幅改善。存储行业2026年前三季度实现营收4901.52亿元，同增393.40%，归母净利润1835.18亿元，较上年同期亏损14.89亿元实现大幅扭亏。其中，2026Q3实现营收2081.63亿元，同增398.25%，环增17.27%;归母净利润696.58亿元，同比实现大幅扭亏。AI算力集群扩张持续拉动HBM、企业级SSD等高端存储需求，存储原厂持续将产能向HBM等高附加值产品倾斜，传统DRAM与NAND供给保持偏紧，存储价格维持较高水平。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。