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保利协鑫万跃鹏:CCz单晶硅片更适用于高效电池

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保利协鑫万跃鹏:CCz单晶硅片更适用于高效电池

差异化的高效产品还包括铸锭单晶硅片,保利协鑫一直在进行该技术的研发。

5月28日,第十二届SNEC大会召开光伏科学家大会。保利协鑫首席技术官万跃鹏受邀主持“硅料与晶片分会”并做报告。万跃鹏指出,高效光伏需求催生出各种技术路径,而高性能、差异化的硅材料将支撑高效电池、组件技术的发展。

万跃鹏表示,硅片主要从晶体质量和表面质量两个维度影响了电池转换效率。在晶体质量方面,提升方法主要有:提升少子寿命、降低多晶硅片的位错密度、降低氧浓度、降低碳浓度、收窄电阻率分布等。而在表面质量方面,提升方法主要有:控制湿法黑硅制绒片的反射率、加大隐裂检查、降低表面金属离子残留、减少线痕等。

沿着这些路径,保利协鑫进行了多种高效产品的研发,并提供定制化产品解决方案以满足市场需求。以电阻率这一关键指标为例,保利协鑫通过RCz多次加料直拉、CCz连续直拉等技术,对单晶硅片的电阻率分布范围进行了差异化控制。相比于业界主流的RCz技术,更加先进的CCz技术氧含量更低且更均匀、金属杂质累积速度更慢,更重要的是其轴向电阻率分布均匀,并且其波动可以控制在10%以内。这使得CCz单晶硅片更适用于高效N型和镓掺杂的P型电池。

在多晶硅片领域,保利协鑫则凭借先进的成核技术、高纯材料和电阻率优化,为更高效率需求提供选择。基于保利协鑫金刚线切硅片,叠加RIE干法黑硅和PERC技术,协鑫量产的MBB电池转换效率已超过20.8%,组件CTM大于98%。60片组件中,295W以上的比例超过95%;其中300W以上的比例超过56%。

湿法黑硅技术提供了高效多晶硅片的另一种选择。保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片,制绒成本降低约30%,背面抛光工艺并更适用于PERC技术。通过一系列工艺技术优化,保利协鑫第二代黑硅片的电池效率增益将于今年提升至0.5%,而组件功率增益也将提升至5W(60片)。

差异化的高效产品还包括铸锭单晶硅片,保利协鑫一直在进行该技术的研发。万跃鹏表示,采用铸锭方法生产的单晶硅片主要优势是成本大大降低。此外,大尺寸硅片、长方形硅片也是重要的发展方向。157.75mm规格的大尺寸硅片已应用在当前的组件产品中,而更大尺寸的161.75 mm硅片可用于MWT组件。保利协鑫先进的硅片技术可以满足高效率、定制化产品的需求。

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保利协鑫万跃鹏:CCz单晶硅片更适用于高效电池

差异化的高效产品还包括铸锭单晶硅片,保利协鑫一直在进行该技术的研发。

5月28日,第十二届SNEC大会召开光伏科学家大会。保利协鑫首席技术官万跃鹏受邀主持“硅料与晶片分会”并做报告。万跃鹏指出,高效光伏需求催生出各种技术路径,而高性能、差异化的硅材料将支撑高效电池、组件技术的发展。

万跃鹏表示,硅片主要从晶体质量和表面质量两个维度影响了电池转换效率。在晶体质量方面,提升方法主要有:提升少子寿命、降低多晶硅片的位错密度、降低氧浓度、降低碳浓度、收窄电阻率分布等。而在表面质量方面,提升方法主要有:控制湿法黑硅制绒片的反射率、加大隐裂检查、降低表面金属离子残留、减少线痕等。

沿着这些路径,保利协鑫进行了多种高效产品的研发,并提供定制化产品解决方案以满足市场需求。以电阻率这一关键指标为例,保利协鑫通过RCz多次加料直拉、CCz连续直拉等技术,对单晶硅片的电阻率分布范围进行了差异化控制。相比于业界主流的RCz技术,更加先进的CCz技术氧含量更低且更均匀、金属杂质累积速度更慢,更重要的是其轴向电阻率分布均匀,并且其波动可以控制在10%以内。这使得CCz单晶硅片更适用于高效N型和镓掺杂的P型电池。

在多晶硅片领域,保利协鑫则凭借先进的成核技术、高纯材料和电阻率优化,为更高效率需求提供选择。基于保利协鑫金刚线切硅片,叠加RIE干法黑硅和PERC技术,协鑫量产的MBB电池转换效率已超过20.8%,组件CTM大于98%。60片组件中,295W以上的比例超过95%;其中300W以上的比例超过56%。

湿法黑硅技术提供了高效多晶硅片的另一种选择。保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片,制绒成本降低约30%,背面抛光工艺并更适用于PERC技术。通过一系列工艺技术优化,保利协鑫第二代黑硅片的电池效率增益将于今年提升至0.5%,而组件功率增益也将提升至5W(60片)。

差异化的高效产品还包括铸锭单晶硅片,保利协鑫一直在进行该技术的研发。万跃鹏表示,采用铸锭方法生产的单晶硅片主要优势是成本大大降低。此外,大尺寸硅片、长方形硅片也是重要的发展方向。157.75mm规格的大尺寸硅片已应用在当前的组件产品中,而更大尺寸的161.75 mm硅片可用于MWT组件。保利协鑫先进的硅片技术可以满足高效率、定制化产品的需求。

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