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芯片架构被认证为国际标准,“科创板明星”澜起科技的核心技术是什么?

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芯片架构被认证为国际标准,“科创板明星”澜起科技的核心技术是什么?

凭借内存接口芯片上的核心技术,澜起跻身行业前三甲。

记者 | 陆柯言

6月25日,随着证监会的消息发放,澜起科技正式成为获得证监会批准注册的科创板申报公司。在媒体报道中,这家芯片设计商一直被视为“科创板领头羊”、“科创板最赚钱公司”。除了年净利逾7亿的营收数字外,澜起最吸引人眼球的莫过于其全球内存接口芯片“三杰”之一的身份。

澜起成立于2004年。在创建澜起科技之前,创始人杨崇和曾担任美国IDT公司副总裁,IDT也是内存接口芯片行业的重要玩家之一。更早之前,他曾在美国国家半导体公司、晶技公司等从事数模混合型超大集成电路的研发工作,积累了一定行业经验。

根据官网介绍,澜起科技的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案,目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。其产品应用于数据中心、云计算和人工智能等诸多领域。

内存接口芯片是澜起的核心产品。招股书显示,2018年,内存接口芯片收入占澜起总收入的99%以上。

所谓的内存接口芯片,是服务器内存模组(内存条)的核心逻辑器件,至于内存条之上,负责控制信息的读取与写入,其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性,满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。

这类芯片市场与其它芯片的不同之处在于,需要与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套,并通过服务器CPU、内存和 OEM厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的认证,才能获得合格的内存接口芯片供应商资格,进入大规模商用阶段。

因此,研发此类产品有两个关卡:内存接口的核心技术,以及服务器生态系统的高准入门槛。

在核心技术方面,澜起先后推出了DDR2高级内存缓冲器、DDR3寄存缓冲器及内存缓冲器、DDR4寄存时钟驱动器及数据缓冲器等一系列内存接口芯片。目前,澜起是全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,也是全球唯一在DDR3和DDR4两代内存全缓冲解决方案商上得到Intel认证的厂商。

所谓的DDR(Double Data Rate,即双倍速率同步动态随机存储器)是内存模块中用于使输出增加一倍的技术,也是各大芯片组厂商的主流产品支持的标准规范。

随着云计算、大数据等新兴技术的快速普及,服务器的需求增多,市场对内存的需求标准也在提高。根据JEDEC(全球微电子产业领导标准机构)标准,内存接口芯片依次走过了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5 时代,每一代的更新都伴随着传输速率、数据可靠性和节能性的提高。

某种程度上,DDR4时期是澜起的高光时刻,澜起发明的DDR4“1+9”分布式缓冲内存子系统框架让其获得了大规模订单。

这一框架的创新之处在于,突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计,采用1颗寄存缓冲控制器为核心、9颗数据缓冲器芯片的分布结构布局,大幅减少了负载,降低了信号传输损耗和延迟,同时保持了信号完整性和高数据带宽,并让芯片功耗分散,散热性更佳。

“1+9”框架此后被JEDEC采纳为国际标准,让澜起成为了这一领域的标准制定者,增加了在全球行业当中的话语权。

复旦大学微电子学院教授周鹏对界面新闻记者表示,内存缓冲芯片的技术壁垒并不高,行业内许多公司具备研发的能力。决定产品优劣的关键在于成本和功耗控制,而这一方面正是澜起能够在业内崛起的优势。

当前,DDR4已经发展成熟,DDR5即将步入市场。澜起招股书称,目前公司正积极参与DDR5 JEDEC 标准的制定,并已推出符合DDR5 标准的RDIMM RCD、LRDIMM RCD、LRDIMM DB 产品。对澜起而言,这是下一个必争之地。

实际上,内存接口芯片市场也曾经历数轮洗牌。在DDR2阶段,这一市场参与者超过10家。但随着内存接口芯片技术的发展和行业精细化分工要求的提高,行业集中度逐步提升。目前,在全球范国内从事研发并能够量产服务器内存接口芯片的公司仅有三家,分别为澜起科技、来自美国的IDT和 Rambus。

澜起在其招股书中称,其内存接口芯片产品的全球市占率在46%左右。从另两家企业的公开资料来看,澜起科技和IDT在内存接口芯片市场占有率较为接近。Rambus占比则相对较小。

内存接口芯片的下游为DRAM市场。DRAM是当下最主流的存储器之一,与NAND Flash占据了所有半导体存储器规模的 95%左右。而澜起产品的最大买家,就是以三星、海力士、美光科技为代表的内存模组制造商。

招股书显示,2016年内存接口芯片市场规模约为2.8亿美元,到18年增加到约5.5亿美元,三年CAGR高达40%。未来,云计算和大数据的快速增长将带来数据中心巨大需求,内存接口芯片的市场规模或将借此提升。

不过,周鹏教授表示,内存接口芯片实际上处于芯片行业的外围,其市场规模的增长依赖于内存出货量的增加,但由于终端需求不振,DRAM市场或将在2019年迎来下滑。市调机构 TrendForce 最新调查显示,DRAM 产业目前供过于求情况加剧,美光等厂商已宣布DRAM减产计划。

澜起科技另一主要产品是津逮服务器CPU及平台。津逮系列CPU在英特尔至强处理器的基础上集成了清华大学的DSC(动态安全监控)技术,还融合了异构计算与互联技术,可满足多种不同类型的计算需求,为图像理解、质点示踪、气候建模等人工智能和大数据应用提供综合数据处理和计算力支撑。

津逮系列CPU还可与澜起科技的混合安全内存模组(HSDIMM®)搭配而组成津逮®服务器平台,为云计算服务器提供芯片级的动态安全监控功能。该平台则主要适用于对数据安全有较高要求的云计算数据中心,现己进入市场推广阶段。

英特尔至强处理器是企业和政府数据中心使用最普遍的一种计算引擎。有业内人士对界面新闻记者分析称,拥有动态安全监控技术的津逮硬件平台相当于为增加了一层信息安全保障,符合国内相关行业和部门对高安全、高性能计算的需求,或将得到这类企业的青睐。

未经正式授权严禁转载本文,侵权必究。

澜起科技

620
  • 澜起科技:MRCD/MDB芯片等开始规模出货,一季度归母净利润2.23亿元,同比增1032.86%
  • 一个月来机构调研超3.3万次,上市公司业绩成核心关注点

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芯片架构被认证为国际标准,“科创板明星”澜起科技的核心技术是什么?

凭借内存接口芯片上的核心技术,澜起跻身行业前三甲。

记者 | 陆柯言

6月25日,随着证监会的消息发放,澜起科技正式成为获得证监会批准注册的科创板申报公司。在媒体报道中,这家芯片设计商一直被视为“科创板领头羊”、“科创板最赚钱公司”。除了年净利逾7亿的营收数字外,澜起最吸引人眼球的莫过于其全球内存接口芯片“三杰”之一的身份。

澜起成立于2004年。在创建澜起科技之前,创始人杨崇和曾担任美国IDT公司副总裁,IDT也是内存接口芯片行业的重要玩家之一。更早之前,他曾在美国国家半导体公司、晶技公司等从事数模混合型超大集成电路的研发工作,积累了一定行业经验。

根据官网介绍,澜起科技的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案,目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。其产品应用于数据中心、云计算和人工智能等诸多领域。

内存接口芯片是澜起的核心产品。招股书显示,2018年,内存接口芯片收入占澜起总收入的99%以上。

所谓的内存接口芯片,是服务器内存模组(内存条)的核心逻辑器件,至于内存条之上,负责控制信息的读取与写入,其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性,满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。

这类芯片市场与其它芯片的不同之处在于,需要与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套,并通过服务器CPU、内存和 OEM厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的认证,才能获得合格的内存接口芯片供应商资格,进入大规模商用阶段。

因此,研发此类产品有两个关卡:内存接口的核心技术,以及服务器生态系统的高准入门槛。

在核心技术方面,澜起先后推出了DDR2高级内存缓冲器、DDR3寄存缓冲器及内存缓冲器、DDR4寄存时钟驱动器及数据缓冲器等一系列内存接口芯片。目前,澜起是全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一,也是全球唯一在DDR3和DDR4两代内存全缓冲解决方案商上得到Intel认证的厂商。

所谓的DDR(Double Data Rate,即双倍速率同步动态随机存储器)是内存模块中用于使输出增加一倍的技术,也是各大芯片组厂商的主流产品支持的标准规范。

随着云计算、大数据等新兴技术的快速普及,服务器的需求增多,市场对内存的需求标准也在提高。根据JEDEC(全球微电子产业领导标准机构)标准,内存接口芯片依次走过了DDR2、DDR3、DDR4、DDR5 时代,每一代的更新都伴随着传输速率、数据可靠性和节能性的提高。

某种程度上,DDR4时期是澜起的高光时刻,澜起发明的DDR4“1+9”分布式缓冲内存子系统框架让其获得了大规模订单。

这一框架的创新之处在于,突破了DDR2、DDR3的集中式架构设计,采用1颗寄存缓冲控制器为核心、9颗数据缓冲器芯片的分布结构布局,大幅减少了负载,降低了信号传输损耗和延迟,同时保持了信号完整性和高数据带宽,并让芯片功耗分散,散热性更佳。

“1+9”框架此后被JEDEC采纳为国际标准,让澜起成为了这一领域的标准制定者,增加了在全球行业当中的话语权。

复旦大学微电子学院教授周鹏对界面新闻记者表示,内存缓冲芯片的技术壁垒并不高,行业内许多公司具备研发的能力。决定产品优劣的关键在于成本和功耗控制,而这一方面正是澜起能够在业内崛起的优势。

当前,DDR4已经发展成熟,DDR5即将步入市场。澜起招股书称,目前公司正积极参与DDR5 JEDEC 标准的制定,并已推出符合DDR5 标准的RDIMM RCD、LRDIMM RCD、LRDIMM DB 产品。对澜起而言,这是下一个必争之地。

实际上,内存接口芯片市场也曾经历数轮洗牌。在DDR2阶段,这一市场参与者超过10家。但随着内存接口芯片技术的发展和行业精细化分工要求的提高,行业集中度逐步提升。目前,在全球范国内从事研发并能够量产服务器内存接口芯片的公司仅有三家,分别为澜起科技、来自美国的IDT和 Rambus。

澜起在其招股书中称,其内存接口芯片产品的全球市占率在46%左右。从另两家企业的公开资料来看,澜起科技和IDT在内存接口芯片市场占有率较为接近。Rambus占比则相对较小。

内存接口芯片的下游为DRAM市场。DRAM是当下最主流的存储器之一,与NAND Flash占据了所有半导体存储器规模的 95%左右。而澜起产品的最大买家,就是以三星、海力士、美光科技为代表的内存模组制造商。

招股书显示,2016年内存接口芯片市场规模约为2.8亿美元,到18年增加到约5.5亿美元,三年CAGR高达40%。未来,云计算和大数据的快速增长将带来数据中心巨大需求,内存接口芯片的市场规模或将借此提升。

不过,周鹏教授表示,内存接口芯片实际上处于芯片行业的外围,其市场规模的增长依赖于内存出货量的增加,但由于终端需求不振,DRAM市场或将在2019年迎来下滑。市调机构 TrendForce 最新调查显示,DRAM 产业目前供过于求情况加剧,美光等厂商已宣布DRAM减产计划。

澜起科技另一主要产品是津逮服务器CPU及平台。津逮系列CPU在英特尔至强处理器的基础上集成了清华大学的DSC(动态安全监控)技术,还融合了异构计算与互联技术,可满足多种不同类型的计算需求,为图像理解、质点示踪、气候建模等人工智能和大数据应用提供综合数据处理和计算力支撑。

津逮系列CPU还可与澜起科技的混合安全内存模组(HSDIMM®)搭配而组成津逮®服务器平台,为云计算服务器提供芯片级的动态安全监控功能。该平台则主要适用于对数据安全有较高要求的云计算数据中心,现己进入市场推广阶段。

英特尔至强处理器是企业和政府数据中心使用最普遍的一种计算引擎。有业内人士对界面新闻记者分析称,拥有动态安全监控技术的津逮硬件平台相当于为增加了一层信息安全保障,符合国内相关行业和部门对高安全、高性能计算的需求,或将得到这类企业的青睐。

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