文 | 财联社 李拥军

7月20日，随着投资160亿的第三代半导体项目在长沙高新区开工，三安光电造“芯”之路再度加码。

长沙三安项目主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。长沙市极为重视该项目，党政一把手昨日双双出席开工仪式。

三安光电工作人员7月20日下午在电话中对财联社记者介绍，公司是集成电路龙头企业，长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，以碳化硅、氮化镓为商用材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明等领域都有应用。

该工作人员表示，这个新项目48个月内完成二期项目建设并实现投产，72个月内实现达产。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模。

三安光电传统优势产品为 LED 芯片，已成为这一领域最大的A股上市公司。近年来公司积极向集成电路领域拓展，向高端产品发力。

该项目主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。上述工作人员表示，项目前景不错，国内国外都还是有竞争者，不过，国内的一般规模都比较小。

据了解，目前全球化合物半导体集成电路市场主要被欧美传统大厂占据，在加大扶持国内集成电路产业的“东风”下，为提升自身半导体供应链的安全性与稳定性，国内厂商纷纷谋求与国内半导体厂商的合作。

中金公司此前分析认为，得益于进口替代趋势,公司作为国内化合物半导体的龙头公司，有望率先受益于国内客户订单的转移。以公司现有的三大产品线来看，更看好其在三代化合物半导体氮化镓以及碳化硅方面的布局。

长沙三安第三代半导体项目是长沙高新区今年铺排的81个产业项目之一，当地相关部门对该项目做过这样的的评价：三安长沙第三代半导体产业园项目，对园区的优势电子信息产业发展起到“一子落而全盘活”的龙头带动作用。

从公司发布公告到正式开工，时间仅隔了1个多月，进度可谓神速。今年6月16日，三安光电发布公告，宣布与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》，决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资160亿元建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目。

项目实施主体为拟成立的长沙控股子公司，将研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

三安光电方面已表示，公司致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。

三安集成电路主要提供化合物半导体晶圆代工服务，工艺能力涵盖微波射频、电力电子、光通讯和滤波器四个领域的产品。为加码化合物半导体业务，三安光电已发布的定增计划中，将引入格力电器和先导高芯，两家公司分别出资20亿元和50亿元参与。

后面两者将由此进入公司前十大股东之列。长沙三安第三代半导体项目开工以及后续投产后，有望补上国内这块“短板”。