三安光电湖南第三代半导体产业园项目投产点亮仪式今天上午在长沙举行,湖南省主要领导出席。该项目总投资160亿元,总占地面积1000亩,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。
三安光电湖南第三代半导体产业园项目投产
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- 三安光电:生产的Micro LED光源器件已送样国内外头部企业进行模组组装验证
- 三安光电及合作伙伴已研制具备高速调制能力的Micro LED光源器件,产品已送样国际客户
三安光电湖南第三代半导体产业园项目投产点亮仪式今天上午在长沙举行,湖南省主要领导出席。该项目总投资160亿元,总占地面积1000亩,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。
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