士兰微:正加快推进6吋SiC功率器件芯片生产线的建设,争取在今年4季度实现通线

士兰微9月16日在投资者互动平台表示,公司已完成车规级SiC-MOSFET器件的研发,在做全面的可靠性评估的基础上,已送部分客户评价。公司正加快推进6吋SiC功率器件芯片生产线的建设,达产后年产能为14.4万片,争取在今年4季度实现通线。

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士兰微

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