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IPO雷达|锴威特闯关科创板:监管两轮质疑技术先进性,实控人曾兼职另一家IPO排队公司董事

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IPO雷达|锴威特闯关科创板:监管两轮质疑技术先进性,实控人曾兼职另一家IPO排队公司董事

主要产品发明专利少。

图片来源:图虫

记者张乔遇

发明专利核心技术以及研发实力系监管对于科创板IPO排队公司审核过程重点关注的问题

近日闯关科创板的苏州锴威特半导体股份有限公司简称锴威特进入问询阶段两轮问询中上交所对于锴威特的技术先进性及市场竞争力发明专利技术来源等重点提出共12小问公司科创实力如何

监管两轮质疑技术先进性

公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。主要产品包含功率器件及功率IC两大类,此外公司还通过技术服务来获得收入。

图片来源:招股书

功率器件是锴威特营收的核心,产品以高压平面MOSFET为主,并在此基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。平面MOSFET产品包括集成快速恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。

芯谋研究数据显示锴威特2021年平面MOSFET国内市场占有率约为3.14%;Omdia数据测算2020年锴威特FRMOS产品的国内市场占有率约为6%,位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵盖的FRMOS悉锴威特收入主力,但却遭到了上交所两轮技术先进性问询,针对该产品的市场竞争情况、核心技术、发明专利、研发周期等多方面要求锴威特进行说明。

核心技术以及发明专利系监管质疑重点之一。据招股书披露,公司共有10项核心技术,其中存在4项核心技术对应为非专利技术,且应用的产品主要为公司核心FRMOS、平面MOSFET产品。

截至招股书签署日,锴威特获授权的发明专利共8项。其中5项为公司成立当年取得,1项为2016年取得,2项为2020年、2021年取得,其中7项形成了主营业务收入。

在一轮问询函的回复中,锴威特截至2022年8月31日的境内发明专利又获批4项,共12项,但12项发明专利中,也仅有2项发明专利系应用于MOSFET产品,其余发明专利均主要应用于功率IC产品且公司在研项目大部分均与功率IC有关。招股书显示2019年至2021年,锴威特功率IC产品收入占主营业务收入的比重分别只有2.00%、2.41%和5.76%。

根据二轮问询函的回复中公司表示MOSFET产品共涉及4项非专利技术和8项专利技术。

图片来源:锴威特二轮问询函回复
图片来源:锴威特二轮问询函回复

界面新闻记者注意到,公司列举的8项专利技术涉及的发明专利共10项。其中已获得授权的发明专利仅3项,其余7项发明专利均处于在审阶段。

三项发明专利分别对应招股书中“一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管”、“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路”、“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根据这三项发明专利在主营业务中的运用情况显示,除“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路”发明专利应用于功率器件及功率IC产品且收入贡献占比超50%外,其余两项与MOSFET有关的发明专利贡献极低。

其中,“一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管”主要应用于功率器件产品,2019年至20221-6月的主营业务收入贡献占比分别为2.71%、1.47%、2.71%和2.93%,专利收入贡献较低。

公司解释原因系:其一,该项专利相关产品属于耗尽型MOSFET,该类产品只应用于部分要求低待机功耗的系统中,其市场需求相对增强型MOSFET来说占比较低,发行人功率器件主要为增强型MOSFET;其二,该专利相关产品电流较小,其单价本身较低。

另“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”应用于集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET产品,但目前尚未形成主营业务收入。

实控人部分核心技术人员来自无锡硅动力

公司核心技术人员相关情况也受到了监管关注。

招股书显示,锴威特的实际控制人系丁国华,丁国华直接持有公司20.26%的股份,并通过一致行动协议及员工持股平台间接控制公司合计62.93%的表决权。

锴威特成立于2015年1月,丁国华2015年9月至今历任公司的总裁、董事长,丁国华也是公司的核心技术人员。值得注意的是,在锴威特任职期间,丁国华同时还兼任无锡硅动力高管。

招股书显示,2000年9月至2003年4月任无锡硅科动力技术有限公司副董事长,2003年6月至2015年8月历任无锡硅动力微电子股份有限公司副董事长、董事长、总经理、副总经理等职,2003年6月至2019年1月任无锡硅动力微电子股份有限公司董事。

同时,公司董事、副总经理、研发部总经理谭在超也曾于2007年11月至2012年10月在无锡硅动力任研发部经理一职,2015年3月起开始在公司任职。

根据公司问询回复,锴威特还存在6名员工曾在无锡硅动力任职。上述8名员工中丁国华与无锡硅动力曾签署《保密协议书》、涂才根于无锡硅动力离职时签署有《离职保密承诺书》;张瑰艳与琪鑫瑞微电子科技无锡有限公司存在保密约定。

图片来源:锴威特一轮问询函回复

据锴威特回复,丁国华与无锡硅动力签署的《保密协议书》已随着丁国华的劳动关系解除而终止;张瑰艳遇徐才根不存在违反保密协议约定及侵犯无锡硅动力知识产权的情形。

无锡硅动力主要从事以AC-DC芯片和DC-DC芯片为主的数模混合电源管理IC的研发、设计、测试和销售,其产品AC-DC芯片主要应用于消费类快充充电器和电源适配器等,DC-DC芯片主要应用于车载类快充充电器等。无锡硅动力全称无锡硅动力微电子股份有限公司简称硅动力目前也正闯关科创板已进入一轮问询阶段

此外,公司核心技术人员张胜于2018年3月入职,存在入职后不久即参与公司发明专利申请的情形

对此,保荐机构、发行人律师会同保荐机构向其前任职单位无锡中感微电子股份有限公司(以下简称“无锡中感微”)发送《确认函》,就张胜是否存在属于无锡中感微的职务发明情形进行询证,截至本回复出具日,尚未取得无锡中感微的回复。

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IPO雷达|锴威特闯关科创板:监管两轮质疑技术先进性,实控人曾兼职另一家IPO排队公司董事

主要产品发明专利少。

图片来源:图虫

记者张乔遇

发明专利核心技术以及研发实力系监管对于科创板IPO排队公司审核过程重点关注的问题

近日闯关科创板的苏州锴威特半导体股份有限公司简称锴威特进入问询阶段两轮问询中上交所对于锴威特的技术先进性及市场竞争力发明专利技术来源等重点提出共12小问公司科创实力如何

监管两轮质疑技术先进性

公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。主要产品包含功率器件及功率IC两大类,此外公司还通过技术服务来获得收入。

图片来源:招股书

功率器件是锴威特营收的核心,产品以高压平面MOSFET为主,并在此基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。平面MOSFET产品包括集成快速恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。

芯谋研究数据显示锴威特2021年平面MOSFET国内市场占有率约为3.14%;Omdia数据测算2020年锴威特FRMOS产品的国内市场占有率约为6%,位列本土第四位。

平面MOSFET及其涵盖的FRMOS悉锴威特收入主力,但却遭到了上交所两轮技术先进性问询,针对该产品的市场竞争情况、核心技术、发明专利、研发周期等多方面要求锴威特进行说明。

核心技术以及发明专利系监管质疑重点之一。据招股书披露,公司共有10项核心技术,其中存在4项核心技术对应为非专利技术,且应用的产品主要为公司核心FRMOS、平面MOSFET产品。

截至招股书签署日,锴威特获授权的发明专利共8项。其中5项为公司成立当年取得,1项为2016年取得,2项为2020年、2021年取得,其中7项形成了主营业务收入。

在一轮问询函的回复中,锴威特截至2022年8月31日的境内发明专利又获批4项,共12项,但12项发明专利中,也仅有2项发明专利系应用于MOSFET产品,其余发明专利均主要应用于功率IC产品且公司在研项目大部分均与功率IC有关。招股书显示2019年至2021年,锴威特功率IC产品收入占主营业务收入的比重分别只有2.00%、2.41%和5.76%。

根据二轮问询函的回复中公司表示MOSFET产品共涉及4项非专利技术和8项专利技术。

图片来源:锴威特二轮问询函回复
图片来源:锴威特二轮问询函回复

界面新闻记者注意到,公司列举的8项专利技术涉及的发明专利共10项。其中已获得授权的发明专利仅3项,其余7项发明专利均处于在审阶段。

三项发明专利分别对应招股书中“一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管”、“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路”、“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

根据这三项发明专利在主营业务中的运用情况显示,除“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路”发明专利应用于功率器件及功率IC产品且收入贡献占比超50%外,其余两项与MOSFET有关的发明专利贡献极低。

其中,“一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管”主要应用于功率器件产品,2019年至20221-6月的主营业务收入贡献占比分别为2.71%、1.47%、2.71%和2.93%,专利收入贡献较低。

公司解释原因系:其一,该项专利相关产品属于耗尽型MOSFET,该类产品只应用于部分要求低待机功耗的系统中,其市场需求相对增强型MOSFET来说占比较低,发行人功率器件主要为增强型MOSFET;其二,该专利相关产品电流较小,其单价本身较低。

另“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”应用于集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET产品,但目前尚未形成主营业务收入。

实控人部分核心技术人员来自无锡硅动力

公司核心技术人员相关情况也受到了监管关注。

招股书显示,锴威特的实际控制人系丁国华,丁国华直接持有公司20.26%的股份,并通过一致行动协议及员工持股平台间接控制公司合计62.93%的表决权。

锴威特成立于2015年1月,丁国华2015年9月至今历任公司的总裁、董事长,丁国华也是公司的核心技术人员。值得注意的是,在锴威特任职期间,丁国华同时还兼任无锡硅动力高管。

招股书显示,2000年9月至2003年4月任无锡硅科动力技术有限公司副董事长,2003年6月至2015年8月历任无锡硅动力微电子股份有限公司副董事长、董事长、总经理、副总经理等职,2003年6月至2019年1月任无锡硅动力微电子股份有限公司董事。

同时,公司董事、副总经理、研发部总经理谭在超也曾于2007年11月至2012年10月在无锡硅动力任研发部经理一职,2015年3月起开始在公司任职。

根据公司问询回复,锴威特还存在6名员工曾在无锡硅动力任职。上述8名员工中丁国华与无锡硅动力曾签署《保密协议书》、涂才根于无锡硅动力离职时签署有《离职保密承诺书》;张瑰艳与琪鑫瑞微电子科技无锡有限公司存在保密约定。

图片来源:锴威特一轮问询函回复

据锴威特回复,丁国华与无锡硅动力签署的《保密协议书》已随着丁国华的劳动关系解除而终止;张瑰艳遇徐才根不存在违反保密协议约定及侵犯无锡硅动力知识产权的情形。

无锡硅动力主要从事以AC-DC芯片和DC-DC芯片为主的数模混合电源管理IC的研发、设计、测试和销售,其产品AC-DC芯片主要应用于消费类快充充电器和电源适配器等,DC-DC芯片主要应用于车载类快充充电器等。无锡硅动力全称无锡硅动力微电子股份有限公司简称硅动力目前也正闯关科创板已进入一轮问询阶段

此外,公司核心技术人员张胜于2018年3月入职,存在入职后不久即参与公司发明专利申请的情形

对此,保荐机构、发行人律师会同保荐机构向其前任职单位无锡中感微电子股份有限公司(以下简称“无锡中感微”)发送《确认函》,就张胜是否存在属于无锡中感微的职务发明情形进行询证,截至本回复出具日,尚未取得无锡中感微的回复。

未经正式授权严禁转载本文,侵权必究。