2025年4月22日，汇创达(300909.SZ)发布2024年年报，营业总收入为14.74亿元，同比较去年同期上涨8.67%，归母净利润为1.01亿元，同比较去年同期上涨7.44%。

汇创达(300909.SZ)本次解除限售的股份为向特定对象发行的股份。本次解除限售股东户数为1户，解除限售的股份数量为6581834股，占公司总股本的3.8051%，上市流通日期为2025年3月28日。

汇创达(300909.SZ)公告称，公司董事段志刚计划以集中竞价、大宗交易的方式合计减持公司股份不超过1,317,500股，占公司总股本比例0.7617%。

公司CCS模组业务主要应用市场为新能源汽车动力电池领域及电化学储能市场，目前不涉及固态电池。

2024年10月29日，汇创达(300909.SZ)发布2024年第三季报。截至2024年10月28日，共有4个机构投资者披露持有汇创达A股股份，合计持股量达3232.64万股，占汇创达总股本的18.69%。

2024年8月27日，汇创达(300909.SZ)发布2024年半年度报告。截至2024年8月26日，共有7个机构投资者披露持有汇创达A股股份，合计持股量达3588.73万股，占汇创达总股本的20.75%。

2024年8月27日，汇创达(300909.SZ)发布2024年中报，营业总收入为6.46亿元，同比较去年同期上涨26.28%，归母净利润为4371.02万元，同比较去年同期上涨81.86%。

汇创达04月23日公告，2023年全年公司实现营业收入13.56亿元，同比增长63.85%，实现归母净利润9377万元，同比下降27.15%。

汇创达(300909.SZ)公告，公司部分限售股即将解禁上市，本次解除限售股份的数量为635.23万股，占公司发行总股本的3.67%

公司于2023年经董事会及股东大会审议通过，投入5.65亿元用于动力电池及储能电池系统用CCS及FPC模组建设项目，设计产能为年产CCS模组1200万套和FPC模组3900万件。目前CCS产品已收到储能领域客户订单，生产与交付顺利进行中，新能源领域项目正在验证中。

公司已有MiniLED背光模组订单正式交付，比如戴尔在23年发布的高端产品线就采用了MiniLED背光模组，但目前销售占比较小，处于市场开拓阶段。

公司拟投入5.65亿元用于动力电池及储能电池系统用CCS及FPC模组建设项目，设计产能为年产CCS模组1200万套和FPC模组3900万件，可应用于新能源车动力电池及储能等领域。公司CCS产品已收到储能领域客户订单，生产与交付顺利进行中。新能源领域项目正在验证中。该业务目前销售占比较小，市场的开拓存在不确定性。

有媒体报道称，汇创达已成为某国内头部手机厂商即将发布的主力机型独家连接器供应商。对此，汇创达证券部人士表示，公司有直接供货，但消费电子产品种类多，公司不是独供。据公司了解，还有其他供应商供货。具体口径以手机厂商发布为准。（中证金牛座）

产业链消息，汇创达已成为某国内头部手机厂商即将发布的主力机型的独家连接器供应商。同时，其防水开关也已建立合作，在产业链导入过程中。此前汇创达在深交所互动易中表示，公司子公司信为兴已经直接为传音控股、荣耀、联想集团、中兴通讯等厂商供货，间接为 OPPO、VIVO、三星等提供产品。（蓝鲸）

公司接到公司控股股东李明的函告，获悉李明于11月28日将其持有的部分限售股份进行了股票质押。本次质押1700万股公司股份，占公司总股本的9.83%，质押用于个人资金需求。

2023年上半年，公司投入5.65亿元用于动力电池及储能电池系统用CCS及FPC模组建设项目，设计产能为年产CCS模组1,200万套和FPC模组3,900万件。截至目前，公司CCS产品已收到储能领域客户订单，生产与交付顺利进行中；新能源领域项目正在验证中。

本次解除限售股东户数共计3户，股份数量为9076.65万股，占公司总股本的52.47%，限售期为自发行人（A股）股票上市之日起36个月。本次解除限售的股份的上市流通日期为2023年11月20日（星期一）。

纳米压印概念股持续发酵，创业板汇创达拉升涨超15%，美迪凯、苏大维格等继续冲高。消息面上，日本佳能公司推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望使电路图案化的最小线宽为10nm，这对应于2nm节点。

2023年10月13日，纳米压印概念股午后走高，截至13：10，汇创达(300909)拉升涨超10%，美迪凯、晶方科技、利和兴、苏大维格等纷纷大幅拉升。

纳米压印概念股午后走高，汇创达午后开盘拉升涨超11%，美迪凯、晶方科技、利和兴、苏大维格等纷纷大幅拉升。消息面上，日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。随着掩模技术的进一步改进，NIL有望使电路图案化的最小线宽为10nm，这对应于2nm节点。