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十年磨一剑拟登科创板,75岁的半导体创业者靠研发突围?

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十年磨一剑拟登科创板,75岁的半导体创业者靠研发突围?

招股书显示,本次上市中微半导体计划募集资金10亿元,用于高端半导体设备扩产升级、技术研发中心建设升级,以及补充流动资金。

文 | 首席科创官 李攸宁

“它的复杂程度绝对不亚于两弹一星。”

尹志尧说这话时戴着白色帽子和口罩,仅根据眼神无法判断他的表情是否充满自豪。他这句话形容的是芯片刻蚀机的刻蚀尺寸要做到7纳米(发丝直径的万分之一)有多难。

如同雕刻师在木石上雕刻精美花纹一般,在小小的芯片上刻蚀机可以雕刻出无数条电路图形,而常人需要将芯片放大几百万倍才能看见。也正因此,衡量刻蚀机水平高低的是它的刻蚀尺寸能达到多么小的结构。

目前,全世界最领先且可以实现量产的最小结构是7纳米(iPhone8用的是10纳米工艺),国外有四家企业可以达到这一标准,分别是美国的泛林半导体、应用材料,日本的东京电子和日立。国内能做到如此微小结构的企业仅一家——中微半导体,尹志尧是它的创始人。

锋芒初现

事实上中微半导体成立不过14年光景。在此之前,全球半导体刻蚀设备被泛林半导体、应用材料、东京电子、日立等为数不多的几家巨头垄断。

中微半导体在刻蚀设备领域所出的成绩不仅打破了这一垄断,还打破了美国的《瓦森纳协议》中“限制对华出口蚀刻设备”这一持续几十年的管制。

这一切成就都起源于十四年前年过六旬的尹志尧所做的一个决定。

尹志尧最早毕业于中国科学技术大学化学物理系,并于1980年取得美国加州大学洛杉矶分校物理化学博士学位,毕业后进入英特尔中心研究开发部工作,担任工程师。

1986年开始,尹志尧分别在泛林半导体、应用材料等全球领先设备公司担任重要职务,并成功开发了包括Rainbow介质刻蚀机在内的一系列等离子刻蚀机。他被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。

2004年,尹志尧发现随着芯片制造大规模向亚洲转移,上游半导体设备工业却仍留在美国,坚信国内半导体设备行业将迎来大规模发展。

同年8月,尹志尧决定回国创业,而当时他已经60岁了。并且,回国需要冲破美国政府的层层审查,所有的工艺配方、设计图纸都将被没收,他毅然决然。三十多人跟随他回国从零开始创办中微半导体。

抱着“用十五年时间追赶,二十年时间超越”的决胜信念,中微半导体于2018年自研7nm等离子刻蚀机通过台积电验证,成为国产首台进入台积电产线的半导体设备。自此进入全球半导体设备领域第一梯队。

持久战

虽然中微半导体的7纳米刻蚀技术已站到全球领先位置,但接下来等待它的并非坦途,而将是一场接一场的持续竞争。

在国内刻蚀设备市场,中微半导体已具备突出的市场竞争力。近期两家国内知名芯片企业的刻蚀设备采购份额中,中微半导体与泛林半导体、东京电子、应用材料同台竞技,供货量占比突破了15%。

图片来源:中微半导体招股书

但在全球市场上中微半导体的竞争之路艰辛异常。数据显示,全球刻蚀设备行业呈现高度垄断的竞争格局,泛林半导体、东京电子、应用材料三家巨头占据了全球近95%的市场份额。中微半导体要在如此高垄断的行业中夺得一席之位并非易事,除了技术实力过硬之外,还需要雄厚的资金实力。

但这似乎正是中微半导体的“软肋”。招股书显示,2016年-2018年中微半导体营收分别为6.1亿元、9.7亿元、16.4亿元,业绩呈稳步增长态势。但三年的净利润却为-2.4亿元、0.3亿元、0.9亿元,刚刚扭亏为盈,且净利率不到6%,低于行业平均水平。

和巨头相比这样的利润基本等于不赚钱。首席科创官据此联系中微半导体,想了解利润率偏低的原因,截至发稿对方未作回复。

但是为了具备长期竞争力,即使利润微薄的情况下,中微半导体依然坚持长期高额的研发投入。

2016年-2018年中微半导体累计研发投入10.37亿元,占当期营收比例分别为49.62%、34%、24.65%。成立至今,中微半导体已积累1201项专利,其中发明专利1038项,海外发明专利465项。

也正因此,在2007年中微半导体因为推出首台双反应台刻蚀机系列,而遭来老雇主应用材料起诉时,才能够在数轮的商业秘密和专利诉讼中均达成和解或胜诉,以事实证明了中微半导体扎实的自主知识产权基础和应对国际复杂知识产权挑战的能力。

2015年,美国商务部在实地考察了中微半导体和中芯国际后,公告放弃“限制对华出口刻蚀设备”并通报“瓦森纳协议”。

可见研发投入对科技企业的重要,但这需要钱。数据显示中微半导体的研发投入占比已呈下降趋势,而巨头们却正快马加鞭赶赴下一个技术高峰。

“现在刻蚀革新非常快,基本一到两年就是一代。5纳米将会很快到来,所以我们现在赶得非常紧。”尹志尧非常清醒。

竞争力取决于研发,研发需要资金支持,中微半导体能否持续领先,资金在其中所起的作用不容小觑。

机不可失

事实上,中微半导体这些年在赚钱和找钱方面做的努力并不少。

天眼查显示,中微半导体成立至今已完成5轮融资,投资方包括上海创投、中金公司、国开创新、上海自贸区基金,并且,中微半导体是国家集成电路产业基金成立后投资的第一家公司,投资总额达到4.8亿元。另外,国际巨头高通、高盛、三星、科天投资都是中微半导体的股东。

除了在一级市场所作的融资努力外,中微半导体亦享有高额的政府补助。2016年-2018年度,计入当期损益的政府补助金额分别为1.2亿元、1.2亿元、1.7亿元,呈增长趋势。

无论融资还是政府补助,持续的资金注入对中微半导体来说异常重要,科创板则是目前一次绝佳机会。

3月27日,上海证监局显示,中微半导体拟变更首次公开发行股票上市的板块为上海证券交易所科创板。3月29日,中微半导体申请科创板上市申请已获上交所受理。

招股书显示,本次上市中微半导体计划募集资金10亿元,用于高端半导体设备扩产升级、技术研发中心建设升级,以及补充流动资金。

目前,这家公司已回复三轮问询。按科创板的审核节奏,中微半导体上会的消息应该会很快到来。

面对竞争所带来的资金压力,科创板的出现为中微半导体带来了一丝曙光。而它能否抓住这次机遇呢,欢迎评论区留言。

本文为转载内容,授权事宜请联系原著作权人。

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十年磨一剑拟登科创板,75岁的半导体创业者靠研发突围?

招股书显示,本次上市中微半导体计划募集资金10亿元,用于高端半导体设备扩产升级、技术研发中心建设升级,以及补充流动资金。

文 | 首席科创官 李攸宁

“它的复杂程度绝对不亚于两弹一星。”

尹志尧说这话时戴着白色帽子和口罩,仅根据眼神无法判断他的表情是否充满自豪。他这句话形容的是芯片刻蚀机的刻蚀尺寸要做到7纳米(发丝直径的万分之一)有多难。

如同雕刻师在木石上雕刻精美花纹一般,在小小的芯片上刻蚀机可以雕刻出无数条电路图形,而常人需要将芯片放大几百万倍才能看见。也正因此,衡量刻蚀机水平高低的是它的刻蚀尺寸能达到多么小的结构。

目前,全世界最领先且可以实现量产的最小结构是7纳米(iPhone8用的是10纳米工艺),国外有四家企业可以达到这一标准,分别是美国的泛林半导体、应用材料,日本的东京电子和日立。国内能做到如此微小结构的企业仅一家——中微半导体,尹志尧是它的创始人。

锋芒初现

事实上中微半导体成立不过14年光景。在此之前,全球半导体刻蚀设备被泛林半导体、应用材料、东京电子、日立等为数不多的几家巨头垄断。

中微半导体在刻蚀设备领域所出的成绩不仅打破了这一垄断,还打破了美国的《瓦森纳协议》中“限制对华出口蚀刻设备”这一持续几十年的管制。

这一切成就都起源于十四年前年过六旬的尹志尧所做的一个决定。

尹志尧最早毕业于中国科学技术大学化学物理系,并于1980年取得美国加州大学洛杉矶分校物理化学博士学位,毕业后进入英特尔中心研究开发部工作,担任工程师。

1986年开始,尹志尧分别在泛林半导体、应用材料等全球领先设备公司担任重要职务,并成功开发了包括Rainbow介质刻蚀机在内的一系列等离子刻蚀机。他被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。

2004年,尹志尧发现随着芯片制造大规模向亚洲转移,上游半导体设备工业却仍留在美国,坚信国内半导体设备行业将迎来大规模发展。

同年8月,尹志尧决定回国创业,而当时他已经60岁了。并且,回国需要冲破美国政府的层层审查,所有的工艺配方、设计图纸都将被没收,他毅然决然。三十多人跟随他回国从零开始创办中微半导体。

抱着“用十五年时间追赶,二十年时间超越”的决胜信念,中微半导体于2018年自研7nm等离子刻蚀机通过台积电验证,成为国产首台进入台积电产线的半导体设备。自此进入全球半导体设备领域第一梯队。

持久战

虽然中微半导体的7纳米刻蚀技术已站到全球领先位置,但接下来等待它的并非坦途,而将是一场接一场的持续竞争。

在国内刻蚀设备市场,中微半导体已具备突出的市场竞争力。近期两家国内知名芯片企业的刻蚀设备采购份额中,中微半导体与泛林半导体、东京电子、应用材料同台竞技,供货量占比突破了15%。

图片来源:中微半导体招股书

但在全球市场上中微半导体的竞争之路艰辛异常。数据显示,全球刻蚀设备行业呈现高度垄断的竞争格局,泛林半导体、东京电子、应用材料三家巨头占据了全球近95%的市场份额。中微半导体要在如此高垄断的行业中夺得一席之位并非易事,除了技术实力过硬之外,还需要雄厚的资金实力。

但这似乎正是中微半导体的“软肋”。招股书显示,2016年-2018年中微半导体营收分别为6.1亿元、9.7亿元、16.4亿元,业绩呈稳步增长态势。但三年的净利润却为-2.4亿元、0.3亿元、0.9亿元,刚刚扭亏为盈,且净利率不到6%,低于行业平均水平。

和巨头相比这样的利润基本等于不赚钱。首席科创官据此联系中微半导体,想了解利润率偏低的原因,截至发稿对方未作回复。

但是为了具备长期竞争力,即使利润微薄的情况下,中微半导体依然坚持长期高额的研发投入。

2016年-2018年中微半导体累计研发投入10.37亿元,占当期营收比例分别为49.62%、34%、24.65%。成立至今,中微半导体已积累1201项专利,其中发明专利1038项,海外发明专利465项。

也正因此,在2007年中微半导体因为推出首台双反应台刻蚀机系列,而遭来老雇主应用材料起诉时,才能够在数轮的商业秘密和专利诉讼中均达成和解或胜诉,以事实证明了中微半导体扎实的自主知识产权基础和应对国际复杂知识产权挑战的能力。

2015年,美国商务部在实地考察了中微半导体和中芯国际后,公告放弃“限制对华出口刻蚀设备”并通报“瓦森纳协议”。

可见研发投入对科技企业的重要,但这需要钱。数据显示中微半导体的研发投入占比已呈下降趋势,而巨头们却正快马加鞭赶赴下一个技术高峰。

“现在刻蚀革新非常快,基本一到两年就是一代。5纳米将会很快到来,所以我们现在赶得非常紧。”尹志尧非常清醒。

竞争力取决于研发,研发需要资金支持,中微半导体能否持续领先,资金在其中所起的作用不容小觑。

机不可失

事实上,中微半导体这些年在赚钱和找钱方面做的努力并不少。

天眼查显示,中微半导体成立至今已完成5轮融资,投资方包括上海创投、中金公司、国开创新、上海自贸区基金,并且,中微半导体是国家集成电路产业基金成立后投资的第一家公司,投资总额达到4.8亿元。另外,国际巨头高通、高盛、三星、科天投资都是中微半导体的股东。

除了在一级市场所作的融资努力外,中微半导体亦享有高额的政府补助。2016年-2018年度,计入当期损益的政府补助金额分别为1.2亿元、1.2亿元、1.7亿元,呈增长趋势。

无论融资还是政府补助,持续的资金注入对中微半导体来说异常重要,科创板则是目前一次绝佳机会。

3月27日,上海证监局显示,中微半导体拟变更首次公开发行股票上市的板块为上海证券交易所科创板。3月29日,中微半导体申请科创板上市申请已获上交所受理。

招股书显示,本次上市中微半导体计划募集资金10亿元,用于高端半导体设备扩产升级、技术研发中心建设升级,以及补充流动资金。

目前,这家公司已回复三轮问询。按科创板的审核节奏,中微半导体上会的消息应该会很快到来。

面对竞争所带来的资金压力,科创板的出现为中微半导体带来了一丝曙光。而它能否抓住这次机遇呢,欢迎评论区留言。

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