安徽合肥长鑫存储实现我国内存芯片量产技术突破

据新华视点，近期，总投资约1500亿元、位于合肥的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。