3月10日消息,中信建投研报指出,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件,随着下游需求爆发,2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元,复合增长率为20%,对应的SIC衬底市场规模讲从7亿美元增长到17亿美元,复合增长率为25%。碳化硅国产突破正加速,迎来中长期投资机会。
中信建投:碳化硅国产突破正加速,迎来中长期投资机会
来源:界面新闻
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