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三星宣布量产3纳米制程芯片,超车台积电

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三星宣布量产3纳米制程芯片,超车台积电

三星成为全球首家量产3纳米芯片的公司。

图片来源:三星

记者 | 彭新

6月30日,三星电子宣布已经开始大规模生产3纳米芯片,是全球首家量产3纳米芯片的公司。

三星称,与前几代工艺使用FinFET技术不同,三星使用的全环绕栅极(gate-all-around, GAA)晶体管技术,使新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗,性能提高23%,并减少16%的面积。

纳米为一米的十亿分之一,是处理芯片时常用的晶体管宽度单位。这个数字越小,芯片制程就越先进,也越容易提高性能。三星预计,在下一阶段芯片性能会提高,功耗和产品尺寸还将进一步下降。

三星并未公布首发客户名单,也没有详细说明新芯片的产量,但市场传出三星3纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和高通等公司。

在晶圆代工市场,主要为台积电和三星两家公司竞争,而台积电仍居于主导地位,占全球晶圆代工营收的一半以上,也是iPhone、iPad等产品处理器的独家供货商。

至于台积电3纳米制程进展,台积电董事长刘德音曾在本月初的股东会上提及,先进制程的进展都按照计划发展中,预计下半年将量产3纳米芯片。

与三星不同的是,台积电将采用较为成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor,FinFET)工艺,一直到2025年量产2纳米芯片时,才会采用GAA技术。另有报道称,苹果和英特尔正在测试台积电的3纳米制程工艺。这也意味着,三星、台积电将用不同架构设计的3纳米制程进行对决。

目前三星也在开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术,声称相关技术能使晶片效能较7纳米时提高35%、面积减少45%,功耗降低五成。

未经正式授权严禁转载本文,侵权必究。

三星

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  • 三星和AMD据悉将合作制造3纳米GAA技术芯片
  • 三星电子最大工会计划举行公司史上首次罢工

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三星成为全球首家量产3纳米芯片的公司。

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6月30日,三星电子宣布已经开始大规模生产3纳米芯片,是全球首家量产3纳米芯片的公司。

三星称,与前几代工艺使用FinFET技术不同,三星使用的全环绕栅极(gate-all-around, GAA)晶体管技术,使新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗,性能提高23%,并减少16%的面积。

纳米为一米的十亿分之一,是处理芯片时常用的晶体管宽度单位。这个数字越小,芯片制程就越先进,也越容易提高性能。三星预计,在下一阶段芯片性能会提高,功耗和产品尺寸还将进一步下降。

三星并未公布首发客户名单,也没有详细说明新芯片的产量,但市场传出三星3纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和高通等公司。

在晶圆代工市场,主要为台积电和三星两家公司竞争,而台积电仍居于主导地位,占全球晶圆代工营收的一半以上,也是iPhone、iPad等产品处理器的独家供货商。

至于台积电3纳米制程进展,台积电董事长刘德音曾在本月初的股东会上提及,先进制程的进展都按照计划发展中,预计下半年将量产3纳米芯片。

与三星不同的是,台积电将采用较为成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor,FinFET)工艺,一直到2025年量产2纳米芯片时,才会采用GAA技术。另有报道称,苹果和英特尔正在测试台积电的3纳米制程工艺。这也意味着,三星、台积电将用不同架构设计的3纳米制程进行对决。

目前三星也在开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术,声称相关技术能使晶片效能较7纳米时提高35%、面积减少45%,功耗降低五成。

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