SK海力士：成功研发全球首款业界最高层数NAND闪存，拟2023年量产

8月3日，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示，此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。