SK海力士开发出12层堆叠HBM3 DRAM芯片，已向客户提供样品

4月20日，SK海力士官网宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM31的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。