三星电子计划2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm

三星电子DS部门日前展示了三星未来内存产品路线图。根据DDR内存路线图，三星计划在2024年内推出1c nm制程DDR内存，该节点可提供32Gb颗粒容量产品；在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺1d nm，仍最大提供32Gb容量。（韩国先驱报）