12月29日消息,据报道,三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进,其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代(1c)DRAM生产的核心,三星率先将1c DRAM用于第六代HBM(HBM4)芯片。
三星平泽P4工厂建设提速,HBM4量产或提前
来源:界面新闻
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12月29日消息,据报道,三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进,其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代(1c)DRAM生产的核心,三星率先将1c DRAM用于第六代HBM(HBM4)芯片。
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