三星砸2000亿韩元攻第三代半导体，从8英寸晶圆切入

3月31日，据台湾《经济日报》报道，三星已支出约2000亿韩元，准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆。据韩媒The Elect援引消息人士称，上述的支出金额显示三星可能已经生产这类第三代半导体的原型。