三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试,涉及发热和功耗问题

5月23日消息,知情人士称,由于发热和功耗问题,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试,无法用于后者的人工智能处理器。据悉,这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。

三星电子在一份声明中表示,HBM是一种定制的内存产品,需要根据客户的需求进行优化,“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。(路透)

未经正式授权严禁转载本文,侵权必究。

三星

5.9k
  • 郭明錤:三星可能将成为苹果新CIS供应商
  • 英伟达AI芯片据悉将采用三星电子HBM3E内存

评论

暂无评论哦,快来评价一下吧!