三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

3月13日，据报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。

由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种“物理信息神经算子”模型。该模型分析铁电基NAND设备性能的速度，比现有模型快逾万倍，相关成果已对外公布。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。