三星电子4月30日表示,目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品,计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。(彭博)
三星电子计划二季度量产12层堆叠HBM3E内存
来源:界面新闻
三星
4.5k
- 美政府已批准三星、SK海力士向中国出口芯片制造设备
- 美政府已颁发许可证,批准韩企向中国出口芯片制造设备
来源:界面新闻
三星电子4月30日表示,目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品,计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。(彭博)
评论