台积电2nm制程或2024年实现量产

据美通社,台媒称,台积电2nm制程研发获重大突破。区别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采用全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,此种架构能解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,研发进度超前。

以台积电2nm目前的研发进度研判,供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产,2024年正式量产。有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单。

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