三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2纳米芯片

据韩媒BusinessKorea报道，三星电子继今年上半年将全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）晶体管技术应用于其3纳米工艺后，已计划在2023年将GAA技术引入第二代3纳米芯片，并在2025年大规模生产基于GAA的2纳米芯片。

三星在芯片制造领域一直在追赶台积电。台积电透露，将于2022年下半年开始量产其首款3纳米半导体芯片，计划在2025年开始生产2纳米芯片。